Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау


Российской академии наук

Даниил Сергеевич Антоненко

Аспирант Сколтеха, 4-й год обучения

Магистр физ.-мат. наук

Мобильный телефон: +79652258777
Эл. почта:

Публикации

    1. D. Antonenko, M. Skvortsov, Ballistic correction to the density of states in an interacting three-dimensional metal, submitted to Phys. Rev. B; arXiv:1910.04715.
    2. B. Dutta, J. T. Peltonen, D.S. Antonenko, M. Meschke, M.A. Skvortsov, B. Kubala, J. König, C.B. Winkelmann, H. Courtois, J.P. Pekola, Thermal Conductance of a Single-Electron Transistor, Phys. Rev. Lett. 119, 077701 (2017); arXiv:1704.02622, WoS: 000407557700002, Scopus: 2-s2.0-85028325863.
    3. D.S. Antonenko, M.A. Skvortsov, Quantum decay of the supercurrent and intrinsic capacitance of Josephson junctions beyond the tunnel limit, Phys. Rev. B 92, 214513 (2015); arXiv:1509.03290, WoS: 000367374200009.