Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау


Российской академии наук

Физики ИТФ имени Ландау нашли оптимальные параметры материалов для сверхпроводящей электроники

27 декабря 2017

Исследователи из Института теоретической физики (ИТФ) имени Л.Д. Ландау обнаружили область параметров, в которой сверхпроводники из «плохих» металлов работают с минимальными потерями. Разработка пригодится для создания защищенных от помех кубитов – ключевых элементов квантового компьютера. О своей работе авторы рассказали на Зимней школе-конференции, проходившей в ИТФ. Препринт работы можно найти тут.

Ученые исследовали сверхпроводники, сделанные из «плохих» металлов – их называют неупорядоченными сверхпроводниками. В отличие от «хороших» металлов с почти идеальной кристаллической решеткой, в таких веществах решетка очень сильно нарушена. Чем больше неупорядоченность, тем выше сопротивление вещества и тем хуже оно проводит электрический ток. Обычно при охлаждении проводящие свойства металлов улучшаются, то есть их сопротивление падает. Однако сильно неупорядоченные «плохие» металлы ведут себя нетипично: чем ниже температура, тем их сопротивление больше. Но после достижения некоего критического значения сопротивление таких «плохих» металлов начинает резко падать и вещество переходит в сверхпроводник.

Физики говорят, что у подобных сверхпроводников очень маленькая плотность сверхпроводящих элементов. Эта величина обратна индуктивности – своеобразной электрической «инерции», которая определяет, насколько будет силен магнитный поток, создаваемый протекающим в системе электрическим током. Сверхпроводники с очень большой индуктивностью – необходимый элемент сверхпроводящей электроники. С их помощью предполагается, например, создать метрологический стандарт тока – по аналогии со стандартом напряжения*. Кроме того, такие элементы пригодятся в конструировании защищенных от всевозможных шумов кубитов – ключевых элементов квантового компьютера. Чтобы квантовый компьютер эффективно работал, важно, чтобы кубиты оставались в состоянии так называемой квантовой запутанности. Однако из-за различных помех, которые неизбежно возникают в устройстве, это состояние очень быстро разрушается. Сверхпроводящие элементы с высокой индуктивностью помогут снизить вероятность того, что запутанность будет разрушаться.

Но чтобы использовать такие элементы для разработки сверхпроводящей электроники, необходимо, чтобы в сверхпроводящем элементе с большой индуктивностью не было активного сопротивления – то есть потерь энергии при протекании тока. «Для этого необходимо, чтобы в сверхпроводнике не было внутренних колебаний (осцилляторов), которые могут возбуждаться на относительно низких – порядка гигагерц – частотах. Это именно тот диапазон, который интересен для практического применения. Если в сверхпроводящем состоянии у материала есть такие колебательные моды, то при приложении излучения в нем будут возбуждаться колебания, что неизбежно приведет к потерям», – объясняет один из участников исследования заведующий сектором квантовой мезоскопии ИТФ имени Л.Д. Ландау профессор Михаил Фейгельман.

С увеличением степени беспорядка в сверхпроводнике количество низкочастотных осцилляторов, «опасных» появлением энергетических потерь, увеличивается. Фейгельман и его коллега Лев Иоффе, сотрудник ИТФ имени Л.Д. Ландау и руководитель Международной лаборатории физики конденсированного состояния Высшей школы экономики рассчитали, до какой степени можно увеличивать неупорядоченность проводника, чтобы добиться большей индуктивности и одновременно не терять заметной доли энергии на возбужденных колебаниях. «Нам удалось выяснить, где надо остановиться по мере увеличения сопротивления «плохого» сверхпроводника, чтобы индуктивность получалась достаточно большой, а потери еще не возникли, – рассказывает Фейгельман. – Наша работа показывает, что существует фундаментальный предел, который ограничивает возможность получать сверхбольшие индуктивности». В будущем расчеты физиков помогут создать обладающие большой индуктивностью материалы из неупорядоченных сверхпроводников для использования в сверхпроводящей электронике.

* Стандарт напряжения создан на основе джозефсоновского контакта – двух слоев сверхпроводника, разделенных нанометровым слоем изолятора. В 1962 году британский физик Брайан Джозефсон предсказал, что в такой конструкции в изоляторе возникнет сверхпроводящий ток. Он появляется благодаря возникновению куперовских пар электронов, которые туннелируют сквозь барьер – то есть преодолевают его, несмотря на то, что, по законам классической механики, их кинетической энергии для этого недостаточно. Туннелирование имеет квантовую природу, и законы квантовой механики разрешают подобные процессы.

«Зимняя школа-конференция по локализации, взаимодействиям и сверхпроводимости» проходила в ИТФ имени Л.Д. Ландау при поддержке гранта Российского Научного Фонда.

Договориться об интервью с учеными, комментариях и запросить дополнительную информацию можно по адресу: press@itp.ac.ru